carrier effect中文是什么意思

• 载体效应

• "carrier"中文翻译    n. 1.运送人，搬夫；负荷者；使役，〔美国〕信差，邮递 ...
• "effect"中文翻译    n. 1.结果。 2.效能，效果，效力，效应，作用，功效 ...
• "adoptive transfer of carrier effect" 中文翻译 :    载体效应的过剩转移
• "carrier storage effect" 中文翻译 :    载流子存储效应
• "minority carrier storage effect" 中文翻译 :    少数载流子存储效应
• "carrier" 中文翻译 :    n. 1.运送人，搬夫；负荷者；使役，〔美国〕信差，邮递员；送报人；〔英国〕运输行，运输业者。 2.传书鸽，信鸽。 3.(车后的)货架；吊架；托架。 4.水管，引水沟。 5.运载工具；搬运机；移动滑车。 6.【医学】带菌者，病媒。 7.航空母舰。 8.【电学】载波；载流子；【拓】承载子；【化学】载体，填料；导染剂。 a mail [letter] carrier邮递员。 a band carrier传送带。
• "for the carrier" 中文翻译 :    交承运人
• "no carrier" 中文翻译 :    （无载波）原因分析; 没有载波讯号
• "on carrier" 中文翻译 :    集装箱陆地运输承运人
• "t carrier" 中文翻译 :    t载波系列
• "t-carrier" 中文翻译 :    t载波系列; 传输载波
• "be of no effect" 中文翻译 :    无效
• "by effect" 中文翻译 :    附带现象
• "by-effect" 中文翻译 :    副作用。
• "effect" 中文翻译 :    n. 1.结果。 2.效能，效果，效力，效应，作用，功效；影响。 3.感触，印象；外观，现象。 4.旨趣，意义。 5.实行，实施。 6.(布的)花纹。 7.〔pl.〕物品，动产，家财。 8.〔pl.〕〔英国〕仿制品。 cause and effect 因果。 curative effects 疗效。 general effect 大意，纲领。 household effects 家产，家具什物。 love of effect 爱面子，爱(修饰)外表。 no effects 无存款。 personal effects 私人财物，手提行李。 sound effects 音响效果。 three-dimensional effect 立体感。 be in (full) effect 正在实行[厉行]。 bring [carry] into [to] effect 实行，实现，贯彻。 come [go] into effect 开始实施[生效]。 feel the effects of 痛感…。 for effect 装门面。 give effect to 实行，实施。 have an effect on [upon] 对…有影响[效果]。 in effect 实际上；总之；有效，生效。 of no effect 无效；无益，不中用。 put into effect 实行。 take effect 奏效，见效，有效验，应验；生效。 to no effect ＝without effect 无效，不灵验。 to the effect that ... 大意是说…，内容是 (A telegram to the effect that ...． 电报大意是说…)。 to this [that, the same] effect 按这种[那种、同样]意思。 with effect 有效地。 vt. 1.产生，招致，导致，引起。 2.完成，达到，实现(目的等)。 effect a cure 发挥治疗效果。 effect an insurance 参加保险。 n. -or 〔生〕效应器，效应基因。
• "effect on" 中文翻译 :    作用,影响
• "for effect" 中文翻译 :    如果你做某事; 为了得到效果; 做样子, 为了给人良好的印象, 装门面
• "in effect" 中文翻译 :    (实质上，实际上）它在句中一般不需要用逗号隔开; 就是，这个法律规则有效; 生效实施; 实际不; 实际上,事实上; 实际上；正实行中; 实质上，根本上; 实质上，实际上，有效; 事实上,实际上; 有效,实际上; 则是实际上，从本质上来说; 正实行中
• "no effect" 中文翻译 :    无效果
• "of (no) effect" 中文翻译 :    （无）效
• "on effect" 中文翻译 :    给光效应; 开效应
• "s effect" 中文翻译 :    s效应
• "s-effect" 中文翻译 :    s效应
• "the effect" 中文翻译 :    影响7; 作用，影响
• "to no effect" 中文翻译 :    不起作用,没有取得任何效果; 无效；毫无结果; 无效果, 不灵验

• This dissertation investigates the breakdown theory and reliability characterization methods of the time dependent dielectric breakdown ( tddb ) for the ultra - thin gate oxide , and the hot - carrier effect ( hce ) in deep sub - micron mosfet ' s
  本文对超薄栅氧化层经时击穿( tddb )击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米mos器件热载流子效应( hce )进行了系统研究。
• First , the scaling limitation and relative reliability problems are analyzed for mosfet in vlsi , especially for hot - carrier effects of small dimension mosfet . and a review of the study of hot - carrier effects on devices and circuits is presented
  首先，本文对超大规模集成电路中mos器件尺寸缩小的限制及相应的可靠性问题进行了分析，特别是对小尺寸mosfet的热载流子效应进行了较详细的讨论；并对国内外mos器件和电路的热载流子可靠性研究进行了概述。
• It is proposed that the higher dose condition creates more hot carriers but the lower sensitivity to hot carrier effect . therefore , the optimum dose for reliability is determined from the trade - off between the above two aspects . finally , a simple model is proposed and discussed
  本文还深入研究了sde区掺杂浓度对器件热载流子可靠性的影响，指出浓度的提高虽然会产生更多的热载流子，但由于其对热载流子损伤的敏感度降低，因此将存在一种折衷，最后通过一个简单的寄生电阻模型，对掺杂浓度提高后，器件对热载流子损伤敏感度降低的现象做出了很好的解释。
• Finally , according to the mosfet ' s parameter degradation due to hot - carrier effects and different application environment of mos devices on analog and digital circuits , the circuit structures for hot - carrier immunity are proposed for digital applications by adding a schottky diode in series with the drain of the nmosfet suffered heavily from hot - carrier degradation . ,
  即在受热载流子退化效应较严重的n mosfet漏极串联一肖特基二极管的新型cmos数字电路结构和串联一工作于线性区的常开n mosfet的mos模拟电路结构。经spice及电路可靠性模拟软件bert2
• In this paper , based on the physical mechanisms of hot - carrier degradation of small dimensional mosfet , the mosfet characteristics degradation induced by the hot - carrier effect are deeply studied analytically and experimentally , the method to predict the lifetime of devices and circuits is given and mos digital and analog circuit structures for the resistance of hot - carrier degradation are presented
  本文基于小尺寸mos器件热载流子退化的物理机理，对器件热载流子退化所导致的性能退化进行了深入的理论分析和相应的实验研究，给出了预测mos器件和电路热载流子退化寿命的方法，并提出了抗热载流子退化的mos模拟和数字电路结构。
• It is shown that substrate current is not the good indication of hot carrier effect in sde structures and using a threshold degradation criterion to characterize device degradation is not suitable for sde structures . third , the effect of the sde implant dose on the hot carrier immunity is thoroughly studied
  在此基础上，指出采用峰值衬底电流评估sde结构器件可靠性的局限性，以及在采用i - v特性测试方法研究sde结构器件的热载流子效应时，阈值电压作为退化判据所存在的问题。
• This paper also presented the structure of soi bjmosfet and discussed and analyzed the advantages of this device by comparing with the bulk bjmosfet . its advantages are as fellow : no latch - up effect , better capability of resisting invalidation , much smaller parasitic capacitance , weaker hot - carrier effect and short - channel effects , and simpler technics , and so on
  通过与体硅bjmosfet比较，讨论和分析了soibjmosfet的优点：无闩锁效应、抗软失效能力强、寄生电容大大降低、热载流子效应减弱、减弱了短沟道效应、工艺简单等。
• Considering the unsymmetrical distribution of interface states induced by hot - carrier effects along the channel , the quasi - two - dimensional analysis methods are used to deduced the drain current , threshold voltage and electrical field in channel after hot - carrier degradation and the theoretical results are fully verified with the experimental data and m1ntmos6 . 0 simulation output . the degradations of device output conductance , subthreshold conduction and rf characteristics are also analyzed
  针对mos器件热载流子退化所引入的界面态，根据其沿沟道非均匀分布的模型，采用准二维分析方法对退化后器件的漏源电流、阈值电压和饱和区沟道电场作了详细的理论推导，并与实验结果和器件二维数值模拟软件minimos6 . 0的计算结果进行了验证比较。

• carrier effect 意味
• carrier effect перевод
• carrier effectとは意味担体効果｛たんたい こうか｝